特許

J-GLOBAL ID：200903097281286306

半導体集積回路

発明者： 稲垣 誠三
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-010330
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228104
出願日： 2003年01月17日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：

【課題】MOSトランジスタを使って電圧降下を検出して調整し、電圧降下シミュレーションの精度が高い半導体集積回路を提供する。【解決手段】半導体集積回路において、電源電圧の降下を検出する電圧降下検出回路からの電圧降下検出信号により、半導体集積回路に供給する電源電圧が低い場合は上記半導体集積回路に供給する電源電圧を高くし、また、上記半導体集積回路に供給する電源電圧が高い場合は上記半導体集積回路に供給する電源電圧を低くするように、外部の電源発生回路を調整することができるようにした。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

内部電圧の降下を検出する電圧降下検出回路を備え、 上記電圧降下検出回路から電圧降下検出信号を外部に出力する、 ことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2件)：

H01L21/822 ,  H01L27/04

FI (1件)：

H01L27/04 F

Fターム (5件)：

5F038AV06 ,  5F038BB08 ,  5F038DF06 ,  5F038DF14 ,  5F038EZ20