特許
J-GLOBAL ID：200903097282230800
化合物半導体結晶成長装置及び化合物半導体層の成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-347437
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168034
出願日： 1999年12月07日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 膜厚、不純物濃度等について、従来より一層、高い基板面内均一性及び基板間均一性で化合物半導体層をエピタキシャル成長させるプラネタリー型化合物半導体結晶成長装置を提供する。【解決手段】 本化合物半導体結晶成長装置40は、プラネタリー型の基板回転機構を備え、基板回転機構によって回転するサセプタ52に保持された基板W上に化合物半導体層を気相成長又は蒸着させる。本装置は、複数個のサセプタを回転自在に装着させ、かつ、第1の駆動ギア60の駆動により回転するディスク50と、第1の駆動ギアを駆動する第1の駆動系62と、各サセプタに設けられたサセプタ・ギア64を同時に駆動して、ディスクの回転とは独立して、各サセプタを同時に回転させる第2の駆動ギア46と、第2の駆動ギアを駆動する第2の駆動系44とを基板回転機構としてチャンバ42内に備えている。
請求項（抜粋）：
プラネタリー型の基板回転機構を備え、基板回転機構によって回転するサセプタに保持された基板上に化合物半導体層を気相成長又は蒸着させるようにした化合物半導体結晶成長装置において、複数個のサセプタを回転自在に装着させ、かつ、第1の駆動ギアの駆動により回転するディスクと、第1の駆動ギアを駆動する第1の駆動系と、各サセプタにそれぞれ設けられたサセプタ・ギアを同時に駆動して、ディスクの回転とは独立して、各サセプタを同時に回転させる第2の駆動ギアと、第2の駆動ギアを駆動する第2の駆動系とを基板回転機構としてチャンバ内に備えていることを特徴とする化合物半導体結晶成長装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (12件)：
4G077AA03
, 4G077DB08
, 4G077EG14
, 4G077TF06
, 5F045AA04
, 5F045BB01
, 5F045DA55
, 5F045DP15
, 5F045DP27
, 5F045DQ10
, 5F045EB02
, 5F045EK03
