磁電変換素子およびそれを用いた磁気センサ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-270289
公開番号（公開出願番号）：特開2002-084015
出願日： 2000年09月06日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】特性の安定性が良く信頼性の高い、磁電変換素子を提供する。【解決手段】磁電変換素子1は、一方面に複数の短絡膜14が形成された磁気抵抗効果膜12と、磁気抵抗効果膜の他方面に電気的に接続される複数の端子20と、磁気抵抗効果膜の一方面側に設けられる基板18とを含む。短絡膜14は、磁気抵抗効果膜12に対する密着性の良い金属でなる接続層14aに耐腐食性の良い貴金属でなる上層14bを積層してなる。また、短絡膜14は、接続層14aと上層14bとの間に拡散防止層14cを積層してもよい。

請求項（抜粋）：

一方面に複数の短絡膜が形成された磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の他方面に電気的に接続される複数の端子と、前記磁気抵抗効果膜の一方面側に設けられる基板とを含む磁電変換素子であって、前記短絡膜は前記磁気抵抗効果膜に対する密着性の良い金属でなる接続層に耐腐食性の良い貴金属でなる上層を積層してなる、磁電変換素子。

IPC (8件)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01F 10/00 , H01L 43/02 , G01B 7/30 101 , G01D 5/245 , G01P 3/488

FI (9件)：

H01L 43/08 Z , H01L 43/08 B , G11B 5/39 , H01F 10/00 , H01L 43/02 Z , G01B 7/30 101 B , G01D 5/245 R , G01P 3/488 D , G01R 33/06 R

Fターム (30件)：

2F063AA35 , 2F063CA40 , 2F063DA05 , 2F063EA03 , 2F063GA52 , 2F063GA79 , 2F063KA02 , 2F077AA41 , 2F077PP14 , 2F077VV01 , 2F077VV33 , 2G017AC06 , 2G017AC09 , 2G017AD55 , 2G017AD61 , 2G017AD65 , 2G017AD66 , 5D034BA02 , 5D034BA03 , 5D034BA08 , 5D034BA21 , 5D034BB02 , 5D034DA07 , 5E049AA01 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AA10 , 5E049AC05 , 5E049BA16 , 5E049CB01

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