特許
J-GLOBAL ID:200903097286913490
基板上にバンプを形成する方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
大貫 進介 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-193979
公開番号(公開出願番号):特開平9-102499
出願日: 1996年07月03日
公開日(公表日): 1997年04月15日
要約:
【要約】【課題】 スクリーン印刷およびリフロー工程を利用して、半導体ダイ28またはウェハなどの基板上に半田バンプを形成する。【解決手段】 半田ペースト18は、ステンシル10の開口部14内にスクリーニングされる。ペーストはステンシル内でリフローされ、半田プリフォーム22を形成する。次に、ステンシルおよび半田プリフォームは、プリフォームが基板上の金属パッド30と整合するように、バンプされる基板上で整合される。半田プリフォームは再度リフローされ、ステンシルの開口部内の半田は金属パッド上に流れる。ステンシルから金属パッドへの半田の転写を促進するため、第2ステンシル12を利用して、半田プリフォーム上に突起27を形成できる。この突起は、転写リフロー工程中に金属パッドと接触し、ステンシルから半田を除去しやすくする。
請求項(抜粋):
基板上にバンプを形成する方法であって:複数の金属パッド(30)を有する半導体基板(28)を設ける段階;前記複数の金属パッドに位置が対応する複数の開口部(14)を有するステンシル(10)を設ける段階;前記ステンシル内の前記複数の開口部を半田(18)で充填する段階;前記ステンシルを前記半導体基板上に配置して、前記複数の開口部を前記複数の金属パッドに整合させる段階;および前記複数の開口部内の半田をリフローして、各前記複数の金属パッド上に半田バンプ(38)を形成する段階;によって構成されることを特徴とする方法。
FI (2件):
H01L 21/92 604 F
, H01L 21/92 604 E
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