特許

J-GLOBAL ID：200903097287617576

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 佐藤 久子 ,  鎌田 正 ,  常野 克己 ,  鈴木 匡 ,  増田 弘生
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-032906
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252087
出願日： 1993年02月23日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子の電気特性を劣化させることなく、浅い拡散層を形成する技術を提供する。【構成】 半導体基板1に第1の不純物をイオン注入して半導体基板1中にアモルファス層7を形成した後、アモルファス層7とシリコン結晶との界面がピーク濃度となる加速電圧で、かつ新たなアモルファス層が形成されず、アモルファス層とシリコン界面のダメージ層をアモルファス化するドーズ量で第2の不純物をイオン注入してアモルファス層7とシリコン結晶との界面に生じたダメージ層7 ́を回復し、次いで、不純物拡散層8を形成するための第3の不純物(BF2)をイオン注入することにより、第3の不純物のチャネルリング現象をアモルファス層7によって抑制する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に不純物をイオン注入して拡散層を形成する際、前記半導体基板の拡散層形成領域に第1の不純物をイオン注入して前記半導体基板中にアモルファス層を形成した後、前記アモルファス層と半導体結晶との界面がピーク濃度となる加速電圧で、かつ新たなアモルファス層が形成されず、前記アモルファス層とシリコン界面のダメージ層とアモルファス化するドーズ量で第2の不純物をイオン注入し、次いで拡散層を形成するための第3の不純物をイオン注入することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (5件)：

H01L 21/265 Z ,  H01L 21/265 W ,  H01L 21/265 F ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 29/78 301 P