特許
J-GLOBAL ID：200903097288916267
電子ズ-ム回路
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-011540
公開番号（公開出願番号）：特開2000-209512
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 高価な大容量メモリを必要としない電子ズーム回路の提供。【解決手段】 ズーム倍率が2倍に満たない時には、切替器SWは端子イに接続され、CCD1で垂直方向のズーム処理が施されると共にラインメモリ33からの読み出し時に水平方向のズーム処理が施される。また、ズーム倍率が2倍以上である時には、切替器SWは端子ロに接続され、メモリ2からの読み出し時に水平方向のズーム処理が施されると共にメモリ2からの読み出し時とラインメモリの読み出し時とを併用して水平方向のズーム処理を施す。
請求項（抜粋）：
Nラインで1フィールドが形成される画像の所定の水平垂直範囲のみを拡大して拡大画像を得る電子ズーム回路であり、所定ラインの画像信号を1フィールド期間内で繰り返し出力することにより、1フィールド期間内に全部でNラインの画像信号を出力する固体撮像素子と、前記固体撮像素子から出力される前記画像信号が書き込まれる際に、同一ラインの画像信号は重複して書き込まれず、且つ前記所定の水平範囲の画素を少なくとも全て含む複数画素の画像信号が書き込まれ、前記所定の垂直範囲に相当するラインの画像信号のみがズーム倍率に応じて繰り返し読み出されるメモリと、1ライン分の画像信号が書き込まれ、前記所定の水平範囲に相当する画素の画像信号のみが前記ズーム倍率に応じて繰り返し読み出されるラインメモリと、前記画像信号に水平及び垂直方向の補間を行って前記拡大画像を得る補間回路とを備え、前記ズーム倍率がN/M倍(但し、M<N)に満たない時には、前記固体撮像素子は前記所定の垂直範囲に相当するラインの画像信号のみを1フィールド期間内で繰り返し出力しており、前記固体撮像素子からの画像信号を前記ラインメモリでズーム処理した後に前記補間回路に入力する一方、前記ズーム倍率がN/M倍以上である時には、前記固体撮像素子は前記所定の垂直範囲のラインを少なくとも全て含むMライン分の画像信号を1フィールド期間内で繰り返し出力しており、前記固体撮像素子からの画像信号を前記メモリと前記ラインメモリとでズーム処理した後に前記補間回路に入力することを特徴とする電子ズーム回路。
IPC (3件)：
H04N 5/335
, G09G 5/373
, H04N 5/228
H04N 5/335 Z
, G09G 5/36 520 F
, H04N 5/228 Z
5C022AB36
, 5C022AC42
, 5C022AC69
, 5C022AC79
, 5C024AA01
, 5C024CA23
, 5C024FA01
, 5C024FA11
, 5C024HA08
, 5C024HA24
, 5C024JA10
, 5C082AA27
, 5C082BA41
, 5C082CA33
, 5C082MM04
, 5C082MM07
