特許
J-GLOBAL ID：200903097293165741
プロセスシミュレータおよびこれを用いたCVD装置 およびプロセスシミュレーション方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-301383
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153699
出願日： 1993年12月01日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】CVD法による容量用絶縁膜の形成の最適プロセス条件のシミュレーションを非経験的反応モデルを用いて実行し、CVD装置に自動的に設定する。【構成】シミュレータ部21が複数のプロセス条件セットにそれぞれ対応する非経験的分子軌道計算法でモデル化した気相反応過程モデルと膜表面反応過程モデルとを格納した記憶装置24と、プロセス条件セットの供給にそれぞれ応答して上記気相反応過程モデルと膜表面反応過程モデルとをそれぞれ設定する反応モデル設定部212と、全てのプロセス条件にそれぞれ対応の全てのシミュレーション結果を相互比較し最適プロセス条件を選出する最適条件判定部133を含むシミュレーション部213とを備える。
請求項（抜粋）：
複数の原料ガスを供給し半導体基板上に化学的気相成長(CVD)法により形成した容量用の窒化シリコン膜の段差被覆特性が最大になる第1のプロセス条件とそれ以外の第2のプロセス条件の各々を構成する予め定めた変化範囲の第1および第2のパラメータを入力する入力端末装置と、前記第1および第2のパラメータの供給を受けこれら第1および第2のパラメータの各々を変化させて前記第1のプロセス条件を選出するためのシミュレーションを実行するシミュレータ部を備えるプロセスシミュレータにおいて、前記シミュレータ部が予め設定した前記第1および第2のパラメータの組合せである第1および第2のプロセス条件セットにそれぞれ対応して気相反応過程と膜表面反応過程の各々を予め定めた非経験的モデル化方法によりモデル化したそれぞれ第1および第2の気相反応過程モデルと膜表面反応過程モデルとを格納した記憶装置と、前記第1または第2のプロセス条件セットの供給に応答して前記記憶装置から対応する前記第1または第2の前記気相反応過程モデルと膜表面反応過程モデルとをそれぞれ設定する反応モデル設定装置と、前記第1および前記第2のプロセス条件にそれぞれ対応する第1および第2のシミュレーションを実行して得た第1および第2のシミュレーション結果を相互比較し前記第1のプロセス条件を選出する最適プロセス条件判定手段を含むシミュレーション部とを備えることを特徴とするプロセスシミュレータ。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, C23C 14/34
, C23F 4/00
, H01L 21/283
, G06F 17/00
