特許
J-GLOBAL ID：200903097294168680
プラズマエッチング装置用シリコン電極
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 正澄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-039701
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236505
出願日： 1995年02月28日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【目的】 シリコン電極体を用いるプラズマエッチング装置において、シリコン電極の寿命を長くし、加工ダメージ及びコンタミネーションの除去がなされ得るプラズマエッチング装置用シリコン電極を提供すること。【構成】 プラズマエッチング用ガスが流通する複数の細孔を備えたシリコン電極体を用いるプラズマエッチング装置において、前記シリコン電極体を10μm〜100μmの範囲でエッチングして、前記細孔の端縁の稜部の角が除去されているプラズマエッチング装置用シリコン電極である。
請求項（抜粋）：
プラズマエッチング用ガスが流通する複数の細孔を備えたシリコン電極体を用いるプラズマエッチング装置において、前記シリコン電極体を10μm〜100μmの範囲でエッチングして、前記細孔の端縁の稜部の角が除去されていることを特徴とするプラズマエッチング装置用シリコン電極。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 C
, C23F 4/00 Z
