特許
J-GLOBAL ID：200903097295167482
ダイヤモンドライクカーボン薄膜形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-230550
公開番号（公開出願番号）：特開平10-072286
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：
【要約】【課題】 基材との密着性のよい、高硬度の、平坦性のよいダイヤモンド薄膜が形成できる装置を得る。【解決手段】 熱電子放出手段12と、基材3に向けてイオンを加速する加速電極15とを有するガスイオン源10を備えるとともに、加速電極15に対して基材3に電圧を印加する第1のバイアス手段20と熱電子放出手段12に電圧を印加する第2のバイアス手段21とを備え、第1、第2のバイアス手段はそれぞれ時間の関数として電圧を印加できるようにした。
請求項（抜粋）：
基材にダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成する薄膜形成装置において、内部を所定の真空度に保持して上記基材を収容する真空槽と、上記基材に対向して設けられ、解離された炭素と炭素イオン、および解離された水素と水素イオンを発生させるガスイオン源とを備え、このガスイオン源は、上記基材に向かってオリフィスが設けられ、かつガスが導入される反応ガス導入室と、この反応ガス導入室内に設けられて熱電子を放出する熱電子放出手段と、この熱電子放出手段から熱電子を引出す熱電子引出し電極と、上記反応ガス導入室の外側に設けられ、上記基材に向けて上記イオンを加速する加速電極とからなり、この加速電極に対して上記基材に時間の関数として電圧を印加できる第1のバイアス手段と、上記加速電極に対して上記熱電子放出手段に時間の関数として電圧を印加できる第2のバイアス手段とを備えたことを特徴とするダイヤモンドライクカーボン薄膜形成装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/04 A
, C23C 16/26
