特許
J-GLOBAL ID：200903097297289593
半導体ウェハ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-185829
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031642
出願日： 2002年06月26日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】両面の研磨後においても、表面と裏面とを確実に識別できる半導体ウェハを提供する。【解決手段】仮のノッチが設けられたウェハの面取りをおこなう際、まず表裏面の外周における面取り部へ、例えば#1000の砥粒にて全周の面取りをおこない、さらに表面の面取り部において、仮のノッチより外周を例えば170〜190°回った部分を#3000の砥粒で面取りすることで、一様でない表面粗さにより形成されるパターンを形成し、当該ウェハの片面を観察するだけで表裏面を認識できるウェハを作製した。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
外周の一部にノッチを形成した半導体ウェハにおいて、
ウェハ表裏面のうち一方の面の前記ノッチを形成していない外周他部の角部を一様な表面粗さで面取りし、
ウェハ表裏面のうち他方の面の前記ノッチを形成していない外周他部の角部を一様でない表面粗さで面取りしたことを特徴とする半導体ウェハ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/02 B
, H01L21/304 621E
