超電導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-156464
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005934
出願日： 1992年06月16日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】超電導体を用いたトランジスター、メモリーおよび圧力センサーを提供すること。【構成】超電導体装置に関し、(1) 超電導体表面に強誘電体を形成すること、および(2) 超電導体表面に正または負の圧力を印加する。超電導体101の表面には、ジルコニュウム・チタン酸鉛やチタン酸バリュウウムなどから成る強誘電体102が形成され、該強誘電体102の表面および該強誘電体102を挟んだ前記超電導体101の両側表面には銀などの金属で、電極103、104および105が形成される。【効果】高速で動作する超電導体トランジスターやメモリーおよび高感度で動作する超電導体圧力センサーなどを提供することができる。

請求項（抜粋）：