特許

J-GLOBAL ID：200903097300767299

半導体受光装置

発明者： 西端 俊彦
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-237261
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055538
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 フォトダイオード(PD)素子と増幅・演算素子を同一チップ上に構成する場合に、その製造プロセス上の制約からPD側の応答速度や感度と増幅・演算素子側の動作速度が相反する傾向にあるが、双方の素子を優れた特性を具備するように構成させる。【構成】 PD2の素子領域のN-エピタキシャル層(低不純物濃度層)5の厚みaをトランジスタ(Tr)3側のキャリア走行距離bより大きく構成する。【効果】 受光時に発生するPD2の空乏層容量を小さくでき、また受光した光ががP型シリコン基板1まで侵入しないようにできるため、PD2の応答速度と感度を向上させることができる。一方、PD2側の厚みaと関係なくTr3側のキャリア走行距離bを短くできるため、Tr3の動作速度を高速化できる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の基体上に、基体側から第2導電型の高不純物濃度層と第1又は第2導電型の低不純物濃度層若しくはイントリンシック層と第1導電型の高不純物濃度層を形成してなるフォトダイオード素子領域と、増幅回路素子又は/及び演算回路素子領域とを構成した半導体受光装置において、フォトダイオード素子領域に形成される第1又は第2導電型の低不純物濃度層若しくはイントリンシック層の厚みを増幅回路素子又は/及び演算回路素子におけるキャリア走行距離より大きく形成したことを特徴とする半導体受光装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H01L 27/15

FI (3件)：

H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 G