特許
J-GLOBAL ID：200903097302105374
磁気共鳴画像形成システム用シ-ルドグラディエントコイルアッセンブリおよびコイルアッセンブリの構成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八木田 茂 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-335111
公開番号（公開出願番号）：特開2000-157515
出願日： 1999年11月25日
公開日（公表日）： 2000年06月13日
要約：
【要約】【課題】磁気共鳴画像形成システム用のグラディエントコイルアッセンブリおよびコイルアッセンブリの構成方法が提供される。【解決手段】磁気共鳴画像形成システム用シールドグラディエントコイルアッセンブリ(22)を構成する方法が提供される。グラディエントコイル構造体は、2つの組の一次グラディエントコイル(60、62)と、単一の組のシールド(スクリーン)コイル(64)とを備える。この構造は、dB/dtと渦電流効果を最小にしつつ超高速MRシーケンスの性能を強化する高効率の一次コイルセットを含む2機能の勾配構造を利用すると共に本来的に低いdB/dtと渦電流レベルとを有する従来の画像形成用途に適切な高品質勾配磁場を有する低効率の一次コイルセットを含むMR用途に適切である。さらに、最小インダクタンス/エネルギアルゴリズムは、2つの一次コイルと1つの二次グラディエントセットの設計を支援する。
請求項（抜粋）：
磁気共鳴画像形成システム用シールドグラディエントコイルアッセンブリを構成する方法であって、(a)第1の連続電流分布が、2次元によって規定される第1の面の所定の有限の幾何学的境界内に閉じ込められると共に画像形成領域に交差して第1の勾配磁場を発生するように、第1の一次コイルセット(60)のために第1の連続電流分布を生成するステップであって、前記第1の勾配磁場が画像形成領域内の指定の空間位置の所定の値に抑制されるステップと、(b)第2の連続電流分布が、2次元によって規定される第2の面の所定の有限の幾何学的境界内に閉じ込められると共に画像形成領域に交差して第2の勾配磁場を発生するように、第2の一次コイルセット(62)のために第2の連続電流分布を生成するステップであって、前記第2の勾配磁場が画像形成領域内の指定の空間位置の所定の値に抑制されるステップと、(c)第3の連続電流分布が、一次コイルセットと第2の一次コイルセットとを囲む面の所定の有限の幾何学的境界内に閉じ込められるように、シールドコイルセット(64)のために第3の連続電流分布を生成し、この結果、前記第3の連続電流分布が、シールドコイルセットによって規定される領域外の領域で、前記第1の連続電流密度によって発生される前記第1の周辺磁場と、前記第2の連続電流密度によって発生される前記第2の周辺磁場とをほぼ消去する磁場を発生するステップと、を含む方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
A61B 5/05 340
, G01N 24/02 540 Y
