特許

J-GLOBAL ID：200903097308452475

半導体装置の製造方法

発明者： 功刀 敬治
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-070213
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269329
出願日： 1999年03月16日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 デュアルダマシンプロセスにおいて高い制御性で良好な接続孔及び配線溝を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 デュアルダマシン(Dual Damascene)プロセスを用いて絶縁膜に接続孔と配線溝を同時に形成する際に、絶縁膜2に開口される接続孔7の開口縁の角部に対するスパッタによるエッチング量の増加を抑制する。これにより、接続孔7及び配線溝8の形状の悪化を抑制する

請求項（抜粋）：

デュアルダマシン(Dual Damascene)プロセスを用いて絶縁膜に接続孔と配線溝を同時に形成する半導体装置の製造方法であって、絶縁膜に開口される前記接続孔の開口縁の角部に対するスパッタによるエッチング量の増加を抑制することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28

FI (2件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/28 L

Fターム (23件)：

4M104DD04 ,  4M104DD07 ,  4M104DD08 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD20 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ18 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR12 ,  5F033RR21 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 配線形成方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-049672   出願人：株式会社日立製作所