特許
J-GLOBAL ID：200903097311519416
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 藤綱 英吉
, 須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-193514
公開番号（公開出願番号）：特開2005-229564
出願日： 2004年06月30日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：
【課題】 薄膜振動子と半導体基板との浮遊容量の少ない半導体装置の構造を提供するとともに、圧電体を用いなくても一般的な薄膜形成技術によって形成でき、高周波化と低電圧駆動が可能な薄膜振動子を有する半導体装置を提供することにある。【解決手段】 半導体基板101には、薄膜振動子100が形成された領域の半導体基板101の裏面から絶縁膜102まで刳り抜かれて凹部103が形成される。刳り抜く領域は、薄膜振動子100が形成された領域すべてにわたって基板101の裏面から刳り抜かれている。刳り抜きの結果、薄膜振動子100は絶縁膜102上に形成された構成になる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
静電力によって振動する振動部と電極を有する振動体と、
絶縁膜と、
半導体基板とを備える半導体装置であって、
前記振動体と前記半導体基板が接合する領域の前記半導体基板裏面の少なくとも一部が
刳り抜かれ、刳り抜かれた部分の前記振動体と前記半導体基板の接合する領域が前記絶縁
膜のみからなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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