特許

J-GLOBAL ID：200903097320001101

半導体装置

発明者： 高橋 武博
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-277925
公開番号（公開出願番号）：特開平9-121023
出願日： 1995年10月25日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：

【要約】【課題】下部電極、上部電極の配線工程の前後で剥離が発生する。【解決手段】基板(1) 上に形成された下部電極(2) と、該下部電極(2) を被覆する誘電体で形成された第1接着層(3a)と、該第1接着層(3a)に設けたコンタクトホール(8c)を被覆するように設けた強誘電体層(4) と、該強誘電体層(4) 上に積層された上部電極(5) からなる強誘電体容量素子(6) と、該強誘電体容量素子(6) を覆うように誘電体で形成された第2接着層(3b)と、該第2接着層(3b)を含む前記強誘電体容量素子(6) 及び前記第1接着層(3a)とを被覆するように形成された誘電体層(7) と、該誘電体層(7) ,前記第1接着層(3a)及び第2接着層(3b)にコンタクトホール(8a,8b) をあけて前記下部電極(2) 及び上部電極(5) と接する配線電極(9a,9b) とを備えたことを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

下部電極及び上部電極を備えた強誘電体容量素子を内蔵した半導体装置において、前記下部電極及び上部電極上に夫々接着層を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  G11C 11/22 ,  H01G 4/33

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  G11C 11/22 ,  H01G 4/06 102