半導体レーザダイオード

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田長七 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-037987
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232683
出願日： 1996年02月26日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】漏れ光を低減した半導体レーザダイオードを提供する。【解決手段】レーザダイオードチップ1は、表面光50と、表面光50の光出力を制御するためのモニタ用の裏面光51を出射する。フォトダイオード2は裏面光51を受光して、表面光50の光出力を検出している。パッケージ3には、レーザダイオードチップ1とフォトダイオード2とが配設されており、キャン5が冠着固定されている。遮光物体8は、表面光50を通過させる孔8aが中央に形成されており、レーザダイオードチップ1の表面光50の出射面前方に配設されている。遮光物体8は、漏れ光が半導体レーザダイオード10から出射されるのを防止している。

請求項（抜粋）：

レーザ光を出射するレーザダイオードチップと、前記レーザダイオードチップを納装するキャンと、中央に前記レーザ光を通過させる孔が形成されるとともに,前記キャン内部の前記レーザ光出射面の前方に配設された遮光物体とを備えて成ることを特徴とする半導体レーザダイオード。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , H01S 3/00 , G01B 11/00

FI (3件)：

H01S 3/18 , H01S 3/00 F , G01B 11/00 B

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