特許
J-GLOBAL ID:200903097325008929

半導体素子チップおよびその作製方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岩佐 義幸
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-300372
公開番号(公開出願番号):特開2001-118881
出願日: 1999年10月22日
公開日(公表日): 2001年04月27日
要約:
【要約】【課題】 ボンディング・パッドをチップ表面に連続する凹部に形成することにより、半導体素子チップのウェハ表面部分の面積を小さくする。【解決手段】 キャリア50上に、チップ28の分離切断面がキャリア50上に向くように実装する。凹部32に設けられたボンディング・パッド40は、キャリア50上に形成されたボンディング・パッド52に、ワイヤ54で接続される。また、チップ28の裏面電極42は、キャリア50上に導電性接着剤56を介してキャリア50上の電極51に接続される。
請求項(抜粋):
キャリア上に実装される半導体素子チップにおいて、チップ表面に素子が集積化され、前記キャリアに接する第1の面および/または前記第1の面に対向し、前記キャリアとは離れた第2の面に、前記チップ表面に連続する凹部を有し、前記凹部にボンディング・パッドが設けられたことを特徴とする半導体素子チップ。
Fターム (3件):
5F044EE01 ,  5F044EE20 ,  5F044EE21

前のページに戻る