トランジスタの基本レイアウト方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-002163
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190814
出願日： 1992年01月09日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】トランジスタを全面に敷き詰めることができ、短納期を実現しつつトランジスタの集積密度を高める。【構成】半導体基板にP型又はN型の拡散領域10を形成すると共に、該拡散領域の表面にゲート電極11を沿わせ、少なくとも1層目の配線層を含む最下層配線層に形成する複数の固定配線12〜14を、ゲート電極11に並行させると共に拡散領域10に重なるように位置させ、且つ、ゲート電極11と第1の固定配線12との間、ゲート電極11で区分けされた拡散領域10の一方の領域10aと第2の固定配線13との間、及び、前記ゲート電極11で区分けされた拡散領域10の他方の領域10bと第3の固定配線14との間を、それぞれコンタクトホール15で接続し、さらに、これらの固定配線12〜14をビアホール16により最終配線層に露出させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板内のトランジスタ各部と最終配線層の間を既設の固定配線で接続し、前記最終配線層に任意の配線を施すことにより、前記トランジスタの自在な組み合わせを可能にしたトランジスタの基本レイアウト方法であって、半導体基板にP型又はN型の拡散領域(10)を形成すると共に、該拡散領域の表面にゲート電極(11)を沿わせ、少なくとも1層目の配線層を含む最下層配線層に形成する複数の固定配線(12〜14)を、前記ゲート電極(11)に並行させると共に前記拡散領域(10)に重なるように位置させ、且つ、前記ゲート電極(11)と第1の固定配線(12)との間、前記ゲート電極(11)で区分けされた拡散領域(10)の一方の領域(10a)と第2の固定配線(13)との間、及び、前記ゲート電極(11)で区分けされた拡散領域(10)の他方の領域(10b)と第3の固定配線(14)との間を、それぞれコンタクトホール(15)で接続し、さらに、これらの固定配線(12〜14)をビアホール(16)により最終配線層に露出させたことを特徴とするトランジスタの基本レイアウト方法。

IPC (3件)：

H01L 27/118 , H01L 21/90 , H01L 27/04

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