特許
J-GLOBAL ID：200903097329709255
ハイブリッド磁気センサ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-323598
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158668
出願日： 2002年11月07日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：
【課題】小型、薄型でかつ極めて高い感度と測定精度を有するワンパッケージ化されたハイブリッド磁気センサ、ならびにその製造方法を提供する。【解決手段】集積回路部分が形成された基板1上に、センサ部を構成している化合物半導体素子2が形成され、さらに絶縁層3を介して、該センサ部の上部に被検知部分から発生する磁束を収束させる磁束収束板4を形成させることにより、小型でかつ、これまでにない高感度なハイブリッド磁気センサを実現できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
センサ部と該センサ部から出力される信号を処理する集積回路とを有するハイブリッド磁気センサにおいて、前記集積回路が形成された基板上に、化合物半導体からなる前記センサ部と、被検知部分から発生する磁束を収束させる磁束収束板が形成されていることを特徴とするハイブリッド磁気センサ。
IPC (4件)：
H01L43/06
, G01R33/06
, H01L43/04
, H01L43/14
H01L43/06 S
, H01L43/06 D
, H01L43/04
, H01L43/14
, G01R33/06 Z
2G017AA04
, 2G017AD51
, 2G017AD61
