特許
J-GLOBAL ID：200903097330695853
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-018234
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226565
出願日： 1994年02月15日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【目的】 異なる極性の2電極が上面に配置されるTTG構造において、漏れ電流を低減し発光効率を高める。【構成】 リッジ導波路M1の活性層36の上側に第1の導電型の第1の半導体層34aを、活性層36の下側に第2の導電型の第2の半導体層37を、第2の半導体層37の側方に第2の導電型の第3の半導体層37aを形成する。第1の半導体層34a上に第1の電極40を、第3の半導体層37a上に第2の電極41を形成する。第1の半導体層34aと第3の半導体層37aとの間の一部に逆ヘテロ接合構造の電流狭窄部33を設け、さらにその側方に寄生容量防止溝45を形成する。【効果】 電流狭窄部33および寄生容量防止溝45でリークパスの発生を防ぐ。
請求項（抜粋）：
基板の上面の一部に形成され中間層域に活性層を有するリッジ導波路と、該リッジ導波路内で前記活性層の上側に形成される第1の導電型の第1の半導体層と、前記リッジ導波路内で前記活性層の下側に形成される第2の導電型の第2の半導体層と、前記リッジ導波路の側方に隣接されて前記第2の半導体層に接続する第2の導電型の第3の半導体層と、前記第1の半導体層の上側に形成される第1の電極と、前記第3の半導体層の上側に形成される第2の電極とを備え、前記第1の半導体層と前記第3の半導体層との間で漏れ電流を防止する漏れ電流防止手段が設けられる半導体装置。
IPC (2件)：
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