特許

J-GLOBAL ID：200903097332312129

イオンドーピング装置および半導体

発明者： 嘉代 雄 ,  柴田 充
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 樺澤 襄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-224650
公開番号（公開出願番号）：特開2002-042717
出願日： 2000年07月25日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】 パーティクルを低減できるイオンドーピング装置を提供する。【解決手段】 プラズマ室12内を凹凸処理することにより、プラズマ室12内に堆積したパーティクルを剥がれにくくして、プラズマ室12内でのパーティクルの発生を抑制する。

請求項（抜粋）：

所定の物質をプラズマ中で励起して発生させたイオンを試料にドーピングするイオンドーピング装置であって、前記試料を配設する処理室と、内面が凹凸に処理され、前記プラズマを発生させるプラズマ室と、このプラズマ室に設けられ、このプラズマ室内で発生したイオンを前記試料に向けて引き出す電極群とを具備していることを特徴としたイオンドーピング装置。

IPC (3件)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01J 37/317 Z ,  C23C 14/48 Z ,  H01L 21/265 F

Fターム (7件)：

4K029AA04 ,  4K029BA35 ,  4K029BA58 ,  4K029CA10 ,  4K029DE01 ,  5C034CC07 ,  5C034CC19