特許
J-GLOBAL ID：200903097337230244
半導体集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-212544
公開番号（公開出願番号）：特開平5-054700
出願日： 1991年08月26日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】外部電源電位をどこに設定しても内部基準信号のレベルが安定して内部電源電位が安定化し、かつ内部電源電位を任意に設定できるようにする。【構成】活性化信号BIMDが一旦活性化レベルになると以後活性化レベルを保持するRS-フリップフロップ52を設ける。このRS-フリップフロップ52からの活性化信号BIMDHを内部基準信号発生回路6の活性化信号とする。
請求項（抜粋）：
外部から供給される電源から所定のレベルの基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、前記外部から供給される電源からこの電源の電位より低くかつ前記基準電圧と対応したレベルの第1の内部基準信号を発生する第1の内部基準信号発生回路と、前記第1の内部基準信号と等しいレベルの第2の内部基準信号を内部基準信号出力端子へ出力する第2の内部基準信号発生回路と、前記外部からの電源の電位が第1のレベルより高いとき活性化し前記外部からの電源の電位を分圧した第1の分圧電位及びこの第1の分圧電位より低い第2の分圧電位を発生する分圧回路と、前記外部からの電源の電位が前記第1のレベルより高いとき活性化し前記第2の分圧電位が前記第1の内部基準信号のレベルを越えると活性化レベルとなる活性化信号を発生する活性化信号発生回路と、前記活性化信号により活性化し前記第1の分圧電位と等しいレベルの第3の内部基準信号を発生し前記内部基準信号出力端子へ伝達する第3の内部基準信号発生回路とを有する半導体集積回路において、前記活性化信号が一旦活性化レベルになると以後活性化レベルを保持するレベル保持回路を設け、このレベル保持回路の出力信号により前記第3の内部基準電圧発生回路の活性化を制御するようにしたことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
G11C 29/00 303
, G11C 11/413
