特許
J-GLOBAL ID：200903097353109900
水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
樺澤 襄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-140425
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335335
出願日： 1992年06月01日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【構成】 ゲート絶縁層3と半導体層4の形成を、同一の真空槽内で行なう。この際、ゲート絶縁層3の形成後、真空槽内に残留するゲート絶縁層3の原料ガスの影響がなくなった後に、半導体層4を形成する。真空槽内の残留ガスの影響がなくなるまでの間、ゲート絶縁層3の表面を弱いプラズマにて処理し続け、ゲート絶縁層3の表面を化学的に活性な状態に保つ。【効果】 真空槽内に残留するゲート絶縁層3の原料ガスにより、半導体層4の特性が劣化するのを防止する。残留ガスの影響がなくなるまでの間、ゲート絶縁層3の表面を化学的に活性な状態に保ち、ゲート絶縁層3と半導体層4との界面における界面準位、欠陥等の生成を低減する。
請求項（抜粋）：
基板上にゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層およびソース・ドレイン電極を形成する水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスタの製造方法において、前記ゲート絶縁層と前記半導体層の形成を同一の真空槽内にて行なうに際し、前記真空槽内にゲート絶縁層の原料ガスを導入して、プラズマCVD法によりゲート絶縁層を形成した後、前記真空槽内に残留するゲート絶縁層の原料ガスの影響がなくなるまでの間、ゲート絶縁層の表面を弱いプラズマで処理し続け、前記真空槽内に残留するゲート絶縁層の原料ガスの影響がなくなった後、前記真空槽内に前記半導体層の原料ガスを導入して、プラズマCVD法により半導体層を形成することを特徴とする水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
