特許

J-GLOBAL ID：200903097357372053

薄膜トランジスタ

発明者： 小島 英嗣
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-276825
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104438
出願日： 1992年09月22日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】 オン電流に影響を与えることなく、オフ電流を十分に低減する。【構成】 チャネル領域3は、n型不純物が高濃度に含有された4個の不純物含有多結晶シリコン部3aと5個の真性多結晶シリコン部3bとを両外側が真性多結晶シリコン部3bとなるようにチャネル長さ方向に交互に配列した構造となっている。そして、オン状態の場合には、不純物含有多結晶シリコン部3aが抵抗0の良導体を構成するので、4個の真性多結晶シリコン部3bの長さの和を従来の素子のチャネル領域の長さと同じとすると、従来の素子と同等のオン電流が流れることになる。一方、オフ状態の場合には、互いに隣接する真性多結晶シリコン部3bと不純物含有多結晶シリコン部3aとの界面近傍にもpn接合が形成されるので、オフ電流としては従来の素子に1/5のドレイン電圧を印加したときの電流しか流れないことになる。

請求項（抜粋）：

チャネル領域を、一導電型の不純物が高濃度に含有されたN又はN+1個の不純物含有多結晶シリコン部とN+1又はN個の真性多結晶シリコン部とを両外側が真性多結晶シリコン部又は不純物含有多結晶シリコン部となるようにチャネル長さ方向に交互に配列して構成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-259572
  
• 特開平3-074880
  
• 特開平1-218070