特許

J-GLOBAL ID：200903097369879811

半導体装置用リードフレーム及びその製造方法

発明者： 首藤 俊介 ,  佐藤 毅 ,  大野 裕明
出願人/特許権者： 株式会社三井ハイテック
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-329958
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213530
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 耐熱性、接続性、及びはんだ濡れ性に優れた長期信頼性の高い半導体装置用リードフレーム及びその製造方法を提供する。【構成】 銅叉は銅合金から成る半導体装置用リードフレームの基材10上にパラジュウム叉はその合金の被覆層16を設けて成る半導体装置用リードフレーム18において、被覆層16上に、メルカプトベンズイミダゾール、チオ尿素等の有機化合物から選ばれた1種の有機化合物の保護被膜層17を設けて成る構成としている。被覆層15、16を形成するめっき被覆層形成工程24の下流に、メルカプトベンズイミダゾール、チオ尿素等の有機化合物から選ばれた1種を含む浸漬処理浴を備えた保護被膜層形成工程25を含む構成とされており、被覆層16を形成した後、その被覆層16を浸漬処理浴に浸漬して保護被膜層17を形成する。

請求項（抜粋）：

銅叉は銅合金から成る半導体装置用リードフレームの基材上にバラジューム叉はその合金の被覆層を設けて成る半導体装置用リードフレームにおいて、前記被覆層上に、メルカプトベンズイミダゾール、チオ尿素等の有機化合物から選ばれた1種の有機化合物の保護被膜層を設けて成ることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。