特許

J-GLOBAL ID：200903097379596907

半導体記憶装置

発明者： 中岡 裕司
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 井出 直孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-262382
公開番号（公開出願番号）：特開平6-111575
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 読み出し動作時には、配線容量の大きいリードライトバスの充放電電流を小さくするとともに反転速度を速くし、書き込み動作時には、制御信号を少なくして書き込み動作を高速に行えるようにする。【構成】 入力バッファ12の出力部のPチャネルトランジスタQP101〜QP106をロードとして使用してリードライトバスRWBSのTrue/Not信号を電源レベルに近づけておき、第一のデータアンプ15で増幅されたリードバス上の信号をゲート入力したNチャネルトランジスタQN101〜QN114によって差電位をつけさせ、第二のデータアンプ14によって再増幅しライトスイッチWSWがリードライトバスRWBSの両信号をNAND回路NA11により制御する。

請求項（抜粋）：

内部記憶素子の信号を増幅するセンスアンプと、このセンスアンプの出力を増幅するデータアンプと、このデータアンプの出力を伝送するデータバスと、このデータバスの信号を一時保持して出力端子に送出する出力バッファとを備えた半導体記憶装置において、前記データバスは対線構造であり、その対線の電位を電源電圧近傍にしてその対線間電位差を小さく保持するバイアス手段と、このデータバスの対線間電位差を増幅して前記出力バッファに与える第二のデータアンプとを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。