特許

J-GLOBAL ID：200903097390360664

半導体イメージセンサ装置及びその製造方法

発明者： 斉藤 豊
出願人/特許権者： セイコー電子工業株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-174062
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021772
出願日： 1991年07月15日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【構成】 光を受けて電気信号に変換する半導体イメージセンサ装置において透光基体3を用いた張り合わせ技術を使用し、フォトトランジスタ2が形成された受光面と反対側の面に出力信号を取り出すという構成にした。【効果】1) 出力信号取り出しを受光面の反対側とすることで外部からの電極や配線が受光側と反対側を通るため光源との距離を減少することが可能となり、感度向上、分解能向上が期待できる。2) 出力信号取り出し受光面の反対側とすることでバンプ電極の形成も可能となり、実装の自由度が大幅に広がる。3) 受光用フォトセンサの上面を透光基体で覆うため、従来の実装のように保護のためのポッティング材などを使用する必要がなくなる。

請求項（抜粋）：

配列されたフォトセンサを有し、前記フォトセンサの受光面側の反対の面に外部接続用電極もしくは該電極開口部を有することを特徴とする半導体イメージセンサ装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 1/028

FI (2件)：

H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-308927
  
• 特開昭63-268267
  
• 特開昭63-031281
  
• 特許第3077034号