特許

J-GLOBAL ID：200903097396858508

窒化物半導体発光素子

発明者： 高平 宜幸
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-256484
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085737
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 高い発光効率を有する発光ダイオード、或いはより低い閾値を有する半導体レーザを得る【解決手段】 VII族元素を添加した基板を用い、発光層と基板との間に形成された層の厚さを0.2から10μmでVII族元素の濃度が検出限界以下にする。

請求項（抜粋）：

GaN基板と、GaN基板上の中間層と、中間層上の発光層を有する窒化物半導体発光素子であって、前記GaN基板にはVII族元素が添加され、中間層は厚さが0.2μm以上でかつVII族元素の含有量が検出限界以下であることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/343

Fターム (15件)：

5F041AA03 ,  5F041AA43 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA48 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA35