特許

J-GLOBAL ID：200903097400259789

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 石井 敦司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-077248
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283307
出願日： 1994年04月15日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 プラグとその上層に形成する配線部との接続構造の信頼性を向上させることができる半導体装置を得る。【構成】 下層配線1と、下層配線1上に形成され、下層配線1上に位置するコンタクトホール3を有する層間絶縁膜2と、コンタクトホール3の内壁に形成された密着層7と、コンタクトホール3内に密着層7を介して埋め込まれ、上面がコンタクトホール3の中心部より径方向外方に向かって高く形成されたプラグ8と、プラグ8を覆うように形成された上層配線9とを有する。

請求項（抜粋）：

第1の配線部と、上記第1の配線部上に形成され、上記第1の配線部上に位置するコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、上記コンタクトホールの内壁に形成された密着層と、上記コンタクトホール内に上記密着層を介して埋め込まれたプラグと、上記プラグを覆うように形成された第2の配線部とを備えた半導体装置において、上記プラグの上記第2の配線部と接する側の面が上記コンタクトホールの中心部より径方向外方に向かって高く形成されていることを特徴とする半導体装置。