特許

J-GLOBAL ID：200903097406170330

接続部の形成方法

発明者： 田原 賢治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-065842
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265934
出願日： 1998年03月16日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【課題】 絶縁膜を貫通する接続孔の内壁及び底面と、絶縁膜上に積層されるバリアメタル膜の膜厚が等しくなるように、必要以上に厚く積層される絶縁膜上のバリアメタル膜の膜厚、接続孔の底面上に積層されるバリアメタル膜の膜厚を低減する。これによって配線抵抗を小さく抑制する。【解決手段】 絶縁膜を貫通する接続孔を開口後、スパッタリング法によってバリアメタル膜を積層し、その後、例えばECRエッチングを行うことによって絶縁膜上、接続孔の底面に積層されたバリアメタル膜の膜厚を低減し、接続孔の内壁に積層されるバリアメタル膜の膜厚に近づける。

請求項（抜粋）：

基板上若しくは上記基板上の第一の金属配線上に積層された絶縁膜を貫通する接続孔を開口する工程、上記接続孔の内壁及び底面に、第一のバリアメタル膜を積層するとともに、上記絶縁膜の上面に第二のバリアメタル膜を積層する工程、上記第一、第二のバリアメタル膜に対してエッチングを行い、上記接続孔の底面に位置する上記第一のバリアメタル膜及び上記第二のバリアメタル膜の膜厚を低減する工程、上記絶縁膜上に金属膜を積層するとともに上記金属膜によって上記接続孔を埋設し、接続部を得る工程、上記金属膜及び上記第二のバリアメタル膜に対してパターニングを行い、第二の金属配線を得る工程を含み、上記エッチングによって上記接続孔の底面に位置する上記第一のバリアメタル膜及び上記第二のバリアメタル膜の膜厚を、上記接続孔の内壁に積層される上記第一のバリアメタル膜の膜厚に近づけることを特徴とする接続部の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/28 301 R