特許
J-GLOBAL ID：200903097409267903
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-245548
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003163
出願日： 1991年09月25日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、充分なガラスフローを起こすような濃度を持つBPSG膜を、粒子の析出をさせることなしに、平坦化のための熱処理を施し、その後歩留良くアルミニウムなどの配線形成を行なう半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 処理ウェハ6としては層間絶縁膜の平坦性を向上させるためBPSG膜が形成された半導体基板である。本実施例及び従来共に石英製のボートの両端付近には、ガスの流れを均一にするために、シリコン基板(ダミーウェハ7)を載置している。両端のダミーウェハ7の間には、処理ウェハ6を載置している。処理ウェハー6の間隔を9/16インチとすると、処理ウェハ6に対して相対的に熱処理雰囲気中に浮遊しているボロン,リン等の濃度を薄くすることができ、BPSG膜の析出粒子をなくすことができる。
請求項（抜粋）：
複数の半導体基板を半導体基板運搬治具に所定間隔をおいてセットした状態で、熱処理炉内に搬入し、熱処理炉内において所定の温度プロフィールにしたがって熱処理を行って、各半導体基板上に形成された不純物を含んだ誘電体をリフローさせて基板表面を平坦化するようにした工程を含む半導体装置の製造方法において、前記所定間隔を熱処理中に蒸発した不純物が相隣る基板に付着しえない間隔に設定したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/22
, H01L 21/225
, H01L 21/316
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
