特許
J-GLOBAL ID:200903097409837785

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-072640
公開番号(公開出願番号):特開平11-274482
出願日: 1998年03月20日
公開日(公表日): 1999年10月08日
要約:
【要約】【課題】コンパクトであり且つ、高スイッチング速度、低損失なスイッチング素子とダイオードを組み合わせた半導体装置を提供する。【解決手段】制御端子により電流を制御することのできるスイッチング素子1を2個以上直列に接続した場合、この複数のスイッチング素子1からなるスイッチング素子群に対して1個のダイオード2を並列に接続し、ダイオード2の材料として、SiC等のSiよりバンドギャップの広い半導体材料を用いる。
請求項(抜粋):
直列に接続され、制御端子により電流を制御することのできる複数のスイッチング素子からなるスイッチング素子群と、前記スイッチング素子群に対して並列に接続されたSiよりバンドギャップの広い半導体により形成されたダイオードとを具備してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 29/78 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/861
FI (8件):
H01L 29/78 657 A ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/74 P ,  H01L 29/74 A ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 N ,  H01L 29/78 655 F ,  H01L 29/91 F

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