配線基板の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-206704
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026486
出願日： 2000年07月07日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】マスクの誘電体層にあるピンホールを通してレーザ光が樹脂絶縁層に照射され欠損孔が形成されても、配線導体層まで貫通しないようにして、配線導体層と樹脂絶縁層の上層に形成した薄膜配線導体層とがショートするのを解消すること。【解決手段】配線導体層とその上の薄膜配線導体層を樹脂絶縁層の貫通孔を介して導通させる配線導体の製造方法において、貫通孔の形成を、基板1の上面に配線導体層2を覆うように第1の樹脂絶縁層3を形成し、第1の樹脂絶縁層3上に第2の樹脂絶縁層4を形成し、第2の樹脂絶縁層4の配線導体層2の直上に位置する部位に窪み4aを形成し、窪み4aの底部にマスク5を介してレーザ光7を照射して第1の樹脂絶縁層3に配線導体層2の上面に達する孔3aを形成することにより行う。

請求項（抜粋）：

配線導体層が上面に形成された基板を準備し、該基板の上面に前記配線導体層を覆うように樹脂絶縁層を形成し、該樹脂絶縁層に形成した貫通孔を介して前記配線導体層に電気的に接続される薄膜配線導体層を形成する配線基板の製造方法において、前記貫通孔の形成を、前記基板の上面に前記配線導体層を覆うように第1の樹脂絶縁層を形成し、該第1の樹脂絶縁層上に第2の樹脂絶縁層を形成し、該第2の樹脂絶縁層の前記配線導体層の直上に位置する部位に窪みを形成し、該窪みの底部にマスクを介してレーザ光を照射して前記第1の樹脂絶縁層に前記配線導体層の上面に達する孔を形成することにより行うことを特徴とする配線基板の製造方法。

IPC (3件)：

H05K 3/00 , B23K 26/00 330 , B23K101:42

FI (3件)：

H05K 3/00 N , B23K 26/00 330 , B23K101:42

Fターム (4件)：

4E068AF00 , 4E068AJ01 , 4E068DA11 , 4E068DB14

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