半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-114092
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302547
出願日： 1993年04月16日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】高集積化した半導体集積回路におけるアスペクト比の大きなコンタクト孔において、安定したコンタクト抵抗を得るとともに、ジャンクションリーク電流の低減を図る。【構成】 P型シリコン半導体基板1の表面に活性層3を形成し、半導体基板1上に層間絶縁膜2を形成する。この層間絶縁膜2にコンタクト孔4を開孔した後、バリアメタル5、Wプラグ6を順次形成してコンタクト孔4を埋め込み、一層目の配線7を形成する。二層目の層間絶縁膜2′を形成した後、この層間絶縁膜2′の平坦化のために750°C未満の温度により熱処理する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主表面に、一導電型の不純物拡散層を形成する工程と、然る後に該半導体基板上に成膜した層間絶縁膜の該不純物拡散層上にコンタクト孔を開孔する工程と、該コンタクト孔内面にバリアメタルを成膜する工程と、該コンタクト孔内にタングステンを埋め込む工程と、該コンタクト孔以外に付着した該タングステンを除去するドライエッチング工程と、750°C未満の温度により熱処理する熱処理工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-266275 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-041617 出願人：日本電気株式会社
コンタクトプラグ形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-221083 出願人：松下電子工業株式会社

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