特許

J-GLOBAL ID：200903097413567458

半導体装置の製造方法および熱処理装置

発明者： 工藤 敏生
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-157483
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347228
出願日： 2002年05月30日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】 ヒータをゾーン制御せずにウエハの熱処理量を均一化する。【解決手段】 複数枚のウエハを収容する処理室11と、処理室11を加熱するヒータ40とを備えているRTP装置において、複数枚のウエハ1がヒータ40の中心に対して点対称に配置されており、これらウエハ1がヒータ40の中心に対して公転されるとともに、それぞれ自転されるように構成されている。【効果】 複数枚のウエハをヒータに対して公転させながらそれぞれ自転させることにより、ヒータをゾーン制御しなくともヒータの加熱量を各ウエハにおいて全体的に均一化できるため、コストを低減しつつICの製造方法の歩留りやスループットを向上できる。

請求項（抜粋）：

複数枚の被処理基板をこれらの被処理基板を加熱するヒータに対して相対的に公転させながらそれぞれ自転させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/68

FI (7件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 G ,  H01L 21/22 501 L ,  H01L 21/22 501 R ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/68 R ,  H01L 21/26 Q

Fターム (20件)：

4K030CA04 ,  4K030GA06 ,  4K030KA23 ,  4K030LA15 ,  5F031CA02 ,  5F031HA01 ,  5F031HA37 ,  5F031HA59 ,  5F031LA07 ,  5F031LA14 ,  5F031MA28 ,  5F031PA11 ,  5F045AA03 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045BB02 ,  5F045DP15 ,  5F045DQ10 ,  5F045EK12 ,  5F045EM10