特許
J-GLOBAL ID：200903097418127448
断面観察装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋本 正実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-133711
公開番号（公開出願番号）：特開平11-045679
出願日： 1988年01月12日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：
【要約】【課題】 被加工物を移動させることなく、SEM像により加工穴についてのインプロセスでの加工深さモニタや加工穴底面形状の観察を速やかに行うこと。【解決手段】 被加工領域に集束イオンビーム20を照射してその被加工領域を加工するが、集束イオンビームの照射を停止させた状態では、集束イオンビーム20の軸方向に対し傾いた軸方向から集束電子ビーム21を被加工領域を含む観察領域に照射走査する場合は、その観察領域から発生する2次電子はSEM像として検出・表示され得るものである。
請求項（抜粋）：
集束したイオンビームを用いて被加工物を加工して該加工された部分の断面を観察する断面観察装置であって、処理室手段と、該処理室手段を真空に排気する真空排気手段と、前記処理室手段の内部で前記被加工物を載置し移動させるテーブル手段と、該テーブル手段上に載置された前記被加工物の被加工領域に集束させたイオンビームを照射走査するイオンビーム照射走査手段と、該イオンビーム照射走査手段のイオンビーム光学系の軸方向に対して傾いた電子光学系の軸方向を有して該電子光学系の軸方向から前記イオンビーム照射走査手段により加工された領域の側面を含む領域に前記被加工領域よりも径が細く絞られた電子ビームを照射走査する電子ビーム照射走査手段と、前記電子ビームにより照射走査される前記加工された領域の側面を臨む位置に配置されて前記イオンビームの照射走査、または前記電子ビームの照射走査による前記被加工物からの2次荷電粒子を検出する2次荷電粒子検出手段と、該2次荷電粒子検出手段からの2次荷電粒子検出信号に基づいて前記イオンビームで加工された領域の側面を含む前記被加工物の2次荷電粒子像を画面上に表示する表示手段とを備えたことを特徴とする断面観察装置。
IPC (6件)：
H01J 37/28
, G01N 1/28
, G01N 23/225
, H01J 37/147
, H01J 37/31
, H01L 21/66
H01J 37/28 B
, G01N 23/225
, H01J 37/147
, H01J 37/31
, H01L 21/66 P
, H01L 21/66 J
, G01N 1/28 F
, G01N 1/28 G
