特許
J-GLOBAL ID:200903097421123879
研磨用スラリー及びこれを用いた研磨方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
須田 正義
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-151179
公開番号(公開出願番号):特開2000-340532
出願日: 1999年05月31日
公開日(公表日): 2000年12月08日
要約:
【要約】【課題】 不必要な不純物を表面欠陥を起こすことなく除去し、かつ金属層又は金属薄膜の表面をより速い研磨速度でより平坦にする。【解決手段】 半導体装置の金属層又は金属薄膜を研磨する研磨用スラリーである。このスラリーは研磨粒子と超純水の酸化性水から成る溶媒を含む。この酸化性水は超純水を電解して陽極側に生じた水であるか、酸を添加した超純水を電解して陽極側に生じた水であるか、超純水にオゾンガスを溶解させて得られた水であるか、又は酸を添加した超純水にオゾンガスを溶解させて得られた水である。
請求項(抜粋):
研磨粒子及び溶媒を含み、金属層又は金属薄膜を研磨する研磨用スラリーにおいて、溶媒が超純水の酸化性水であることを特徴とする研磨用スラリー。
IPC (4件):
H01L 21/304 622
, B24B 37/00
, C09K 3/14 550
, H01L 21/306
FI (4件):
H01L 21/304 622 D
, B24B 37/00 H
, C09K 3/14 550 Z
, H01L 21/306 M
Fターム (14件):
3C058AA07
, 3C058CB01
, 3C058CB03
, 3C058CB10
, 3C058DA02
, 3C058DA12
, 3C058DA17
, 5F043AA26
, 5F043BB30
, 5F043DD16
, 5F043DD30
, 5F043FF07
, 5F043GG03
, 5F043GG10
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