特許
J-GLOBAL ID：200903097426322195
半導体製造装置のクリーニング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-126403
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326471
出願日： 1992年05月19日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 パーティクル汚染を効果的に回避する。【構成】 ウェハチャンバ7内のクリーニングを、ウェハホルダ8にウェハ20を配置して行う。
請求項（抜粋）：
ウェハチャンバ内に気体導入と強制排気とを行ってウェハチャンバ内のクリーニング作業を行う半導体製造装置のクリーニング方法において、上記クリーニング作業を、上記ウェハチャンバ内のウェハホルダに、ウェハを装着させた状態で行うことを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, H01J 37/317
, H01L 21/265
