特許
J-GLOBAL ID：200903097427210536
単結晶の製造方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-133677
公開番号（公開出願番号）：特開平5-330974
出願日： 1992年05月26日
公開日（公表日）： 1993年12月14日
要約：
【要約】【目的】熱バランスを崩すことなく、250mm以上の長尺結晶を再現性良く成長する。【構成】容器開口端縁10を構成するPBN製ルツボ1及びサセプタ2の端面、内面及び外面をすっぽり断熱材7で覆う。開口端縁10の内外面をカバーする長さは、最低でもルツボ1の引上げによりヒータ5の上端から突き出る部分は、カバーできることが必要である。これによりルツボ1の引上げでヒータ5から突き出でるルツボ開口端縁10の冷却が補償される。
請求項（抜粋）：
容器加熱手段により加熱された容器内の結晶原料融液に種結晶を接触させて引き上げながら、固液界面位置が一定になるように容器も引き上げていく単結晶の製造方法において、ルツボ加熱手段の移動または開口端縁を断熱することにより、容器の引上げに伴って生じる容器開口端縁の冷却を補償するようにしたことを特徴とする単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 15/10
, C30B 29/42
, H01L 21/208
