特許
J-GLOBAL ID：200903097432491047
化学気相成長装置および化学気相成長方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-224397
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078772
出願日： 1993年09月09日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】【目的】 反応室内温度を正確に制御する。【構成】 昇温および基板23と同一物質を成長する段階で、赤外線検出器28を用いて温度制御し、周辺の付着物の影響をなくす。ただしヘテロ構造作成時には、表面の赤外線特性が急激に変化するため、熱電対27を用いて温度制御する。
請求項（抜粋）：
反応室内において、載置台上に載置された半導体ウェハを加熱しつつ、高温安定状態で前記反応室内に反応ガスを供給することにより前記半導体ウェハの上面に成長膜を形成する化学気相成長装置であって、前記載置台上の半導体ウェハを加熱する加熱手段と、前記反応室内の所定位置の温度を検出する温度検知手段と、加熱された前記半導体ウェハから放射される赤外線の強度を検出する赤外線検出手段と、前記温度検知手段および前記赤外線検出手段からの検出情報に基づいて前記加熱手段での加熱温度を制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、前記反応室内の昇温段階で前記赤外線検出手段からの赤外線検出情報を選択しかつ前記反応室の高温安定段階で前記温度検知手段からの温度検出情報を選択する自動選択部と、該自動選択部で選択されたいずれかの検出情報に基づいて前記加熱手段を駆動制御する駆動制御部とを備えた化学気相成長装置。
IPC (2件)：
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