特許
J-GLOBAL ID：200903097432825247
InSb薄膜の転写形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-357049
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175148
出願日： 1991年12月25日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 素子基板上に結晶度の良好な電子,正孔の移動度の高いInSb薄膜を形成することができるInSb薄膜の転写形成方法を提供する。【構成】 薄膜形成基板1上にBaF2 のバッファ層2を形成し、このバッファ層2上にInSb薄膜3を形成してキャップ層4で覆い、InSb薄膜3をアニール処理する。前記キャップ層4と素子基板6のSiO2 層5とを陽極接合する。そして、バッファ層2を水や弱酸でエッチングして除去し、InSb薄膜3を素子基板6に転写形成する。
請求項（抜粋）：
薄膜形成基板上にInSbと格子定数がほぼ等しく、かつ、水又は溶液に溶け易いバッファ層を形成し、このバッファ層上にInSb薄膜を形成し、このInSb薄膜をキャップ層で覆ってからInSb薄膜をアニールし、然る後に、キャップ層の上側にキャップ層を接着層として素子基板を接合し、次に、前記バッファ層をエッチングして前記薄膜形成基板を取り除き、素子基板上にInSb薄膜を形成するInSb薄膜の転写形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, H01L 33/00
, G01J 1/02
, G01J 5/02
, G01R 33/06
