特許

J-GLOBAL ID：200903097433405691

半導体装置の製造方法

発明者： 安茂 博章 ,  加藤 克幸 ,  三輪 浩之 ,  兼松 成
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-293594
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144700
出願日： 1996年11月06日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 横型バイポーラトランジスタでは半導体基板と絶縁膜との界面にダングリングボンドが発生するとベース電流が増加してhFEが低下する。【解決手段】 ベース領域13aが形成された半導体基板10上に第1酸化シリコン膜17を成膜する。第1酸化シリコン膜17に形成したコンタクトホール21b,21c底面におけるベース領域13aの表面層にエミッタ領域26bとコレクタ領域26cとを形成した後、水素雰囲気中での熱処理を行い半導体基板10と第1酸化シリコン膜17との界面Aに水素を供給する。その後、第1酸化シリコン膜17上に、エミッタ領域26bとコレクタ領域26cとの間におけるベース領域13a上を覆う状態で、各領域に接続する配線32をチタンを含有するバリアメタルを用いて形成する。界面Aに過剰に水素を供給し、配線32に水素が吸収されても界面Aのダングリングボンドは水素が結合した状態に保たれる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面側に横型バイポーラトランジスタを設けてなる半導体装置の製造方法であって、横型バイポーラトランジスタのベース領域が形成された半導体基板上に水素の拡散が可能な絶縁膜を成膜し、当該絶縁膜にベース領域に達するコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールの底面における前記ベース領域の表面層にエミッタ領域とコレクタ領域とを形成する工程と、水素雰囲気中での熱処理を行うことによって、前記半導体基板と前記絶縁膜との界面に水素を供給する工程と、前記熱処理を行った後に、前記絶縁膜を介して前記ベース領域の露出表面上を覆う状態で水素との親和性が高い材料を用いて構成された配線を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 29/72 ,  H01L 21/283 L ,  H01L 21/88 B