特許

J-GLOBAL ID：200903097448193429

半導体装置及びその製造方法

発明者： 堤 聡明
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-181873
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347358
出願日： 1992年06月15日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：

【要約】【目的】 層間絶縁膜によって隔てられた上層配線と下層配線における微細配線間,ボンディングパッドと広幅の配線間が電気的な接触不良を生ずることなく接続された多層配線構造を有する半導体装置とこれを得る製造方法を提供する。【構成】 第1の層間絶縁膜2上に形成された微細なアルミ配線3bと広幅のアルミ配線3aを覆うように第2の層間絶縁膜4を形成し、該第2の層間絶縁膜内に、該第2の層間絶縁膜上に形成する微細配線9bを上記微細なアルミ配線3bに接続するためのコンタクトホール6を形成すると同時に、該第2の層間絶縁膜上に形成するボンディングパッド9aを上記広幅のアルミ配線3aに接続するために、上記コンタクトホール6と同一サイズのコンタクトホール10を、これらボンディングパッド9aと上記広幅のアルミ配線3aとで挟まれた上記第2の層間絶縁膜内に複数形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板を覆う絶縁膜中に敷設された該半導体基板内の素子に導通する微細配線と、上記絶縁膜上面に形成された微細配線とを電気的に接続する第1のコンタクトホールと、上記絶縁膜中に敷設された、上記半導体基板内の素子に導通する広幅の配線部と、上記絶縁膜上面に形成されたボンディングパッドとを電気的に接続する第2のコンタクホールとを有する多層配線構造を備えてなる半導体装置において、上記第2のコンタクホールを、上記第1のコンタクトホールと同一サイズの複数の微小コンタクトホールを集合させて構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/3205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭57-172752
  
• 特開平2-105419
  
• 特開平2-144919
  
• 特開平4-152550