特許

J-GLOBAL ID：200903097451562435

半導体装置及びその製造方法

発明者： 羽賀 孝裕 ,  海道 佳典 ,  安田 孝慶
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-020401
公開番号（公開出願番号）：特開平7-231015
出願日： 1994年02月17日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：

【要約】【構成】 半導体装置の出力端子130a、130c上に固着された金属箔150a、150cと、前記金属箔150a、150c上の一部に開口21a、21cを有し、前記金属箔150a、150cの外周部上を含んで前記半導体装置の表面を被う保護膜20とを有することを特徴とする。【効果】 保護膜が、金属箔を押さえ付けるように働き金属箔の接続強度が大きくなると共に、金属箔の外周部より、水分が半導体装置内部に進入することがない。

請求項（抜粋）：

半導体装置の出力端子上に固着された金属箔と、前記金属箔上の一部に開口を有し、前記金属箔の外周部上を含んで前記半導体装置の表面を被う保護膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 321 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 31/04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-136331
  
• 特開平2-003943
  
• 特開平2-156646