特許
J-GLOBAL ID:200903097457457420

回路シミュレーション用モデルパラメータ最適化装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 梅田 勝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-220900
公開番号(公開出願番号):特開平10-065159
出願日: 1996年08月22日
公開日(公表日): 1998年03月06日
要約:
【要約】【課題】 MOSトランジスタの各L/W領域に対する最適なモデルパラメータを得る。【解決手段】 Ids、VthのL、W形状依存特性に対して、実測値とモデルパラメータより求めた計算値の比較を行い、両者の間の誤差が所定値以下となるまで、モデルパラメータの更新を行い、その最適化を行なう。
請求項(抜粋):
MOSトランジスタの電気特性を測定する手段と、該手段による測定結果からMOSモデルパラメータを初期抽出する手段と、MOSトランジスタのゲートチャネル長(L)又はゲートチャネル幅(W)の変化に対して、上記モデルパラメータを最適化するための手段とを備えたことを特徴とする回路シミュレーション用モデルパラメータ最適化装置。
IPC (6件):
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  G01R 31/26 ,  G06F 17/50 ,  H01L 21/82 ,  H01L 29/00
FI (5件):
H01L 29/78 301 Z ,  G01R 31/26 B ,  H01L 29/00 ,  G06F 15/60 666 A ,  H01L 21/82 C

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