特許
J-GLOBAL ID:200903097458055199

弾性表面波デバイスの電極形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小鍜治 明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-182239
公開番号(公開出願番号):特開平5-029865
出願日: 1991年07月23日
公開日(公表日): 1993年02月05日
要約:
【要約】【目的】 各種電子機器に用いる弾性表面波デバイスの電極形成方法において、工数を低減し、歩留りを向上させることを目的とする。【構成】 フォトレジスト3のパターンを形成した圧電性基板1をドライエッチング槽4に入れ、エッチング用ガスを導入しながら放電させることにより、フォトレジストのない部分の電極金属2をエッチングし、エッチングの完了後に放電を止め、エッチング用ガスを排出した後、酸素ガスを導入して放電させてフォトレジスト3を除去する方法により、圧電性基板1をまったく動かさずにエッチング処理ないしレジスト除去処理を行うことができ、工程を簡略化でき、熱的ショックや、機械的ショックを少なくできる。
請求項(抜粋):
圧電性基板のアルミニウムを蒸着した電極金属の上にフォトレジストの感光膜を塗布し、露光により所定の電極パターンを焼きつけて感光部に硬膜を形成した前記圧電性基板をドライエッチング槽に入れ、エッチング用ガスを導入して放電してエッチングし、ついで前記エッチング用ガスを排出した後、酸素ガスを導入して放電して前記フォトレジストを除去して前記圧電性基板上に電極を形成する弾性表面波デバイスの電極形成方法。
引用特許:
審査官引用 (12件)
  • 特開昭57-002585
  • 特開昭57-068912
  • 特開昭61-280620
全件表示

前のページに戻る