特許

J-GLOBAL ID：200903097469259101

高純度ガス充填用容器およびその製造方法

発明者： 東郷 淳 ,  神道 義弘
出願人/特許権者： 住金機工株式会社
代理人 (1件)： 穂上 照忠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-311402
公開番号（公開出願番号）：特開平7-167391
出願日： 1993年12月13日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】容器頭部の内面を含めた全内表面が十分に平滑化され、半導体製造用として含有水分量が少ないとともに、放出するパーティクルが少ない高純度ガス充填用容器およびその製造方法を提供。【構成】(1) 口絞り加工を施した頭部の内面が磁気研磨によって平滑化されており、その平滑化した部分の表面粗さがRmax で10μm 以下であることを特徴とする高純度ガス充填用容器。(2) 頭部に口絞り加工を施した容器を頭部を下向きにして設置し、その斜め下方に磁極を設置し、容器内部に装入した磁性研磨材を上記磁極で引きつけて口絞り部内面に接触させた状態で容器をその中心軸の周りに回転させて磁気研磨を行うことを特徴とする高純度ガス充填用容器の内面研磨方法。上記(2) の方法では、磁性研磨材として磁性砥粒、強磁性粒および湿潤剤からなる湿式磁気研磨を行うのが望ましく、さらに、この研磨を荒研磨と仕上研磨との工程に分けて行うのが好ましい。

請求項（抜粋）：

口絞り加工を施した頭部の内面が磁気研磨によって平滑化されており、その平滑化した部分の表面粗さがRmax で10μm 以下であることを特徴とする高純度ガス充填用容器。