ゲ-ト酸化物を形成する方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-238643
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091577
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】薄い高品質のゲート酸化物を提供する。【解決手段】電界効果トランジスタ(10)の極薄ゲート酸化物14を形成する方法。ゲート酸化物(14)が、酸化剤(例えばN2O、CO2)をエッチング剤(例えばH2)と組合わせ、薄い(〜12Å)高品質の酸化物(14)を制御自在に成長させるように、分圧を調節することによって形成される。

請求項（抜粋）：

ウエーハに電界効果トランジスタのゲート酸化物を形成する方法に於て、前記ウエーハを処理室の中に配置し、第1のエッチング剤を酸化剤と共に前記室に導入して前記ゲート酸化物を形成する工程を含む方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/3065 , H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/316 S , H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (11件)

IN-SITU蒸気生成方法及び装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-502533 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
特開昭53-145574
特開平2-230736

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