特許

J-GLOBAL ID：200903097470423900

フォトレジスト重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子

発明者： 李 根守 ,  鄭 載昌 ,  白 基鎬
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-252762
公開番号（公開出願番号）：特開2001-106737
出願日： 2000年08月23日
公開日（公表日）： 2001年04月17日
要約：

【要約】【課題】 パターンの様相を改善することができ、耐久性、耐エッチング性、再現性、解像力、及び接着性が優れたフォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】 本発明のフォトレジスト組成物は、下記式(1)の架橋単量体を単量体として有するフォトレジスト重合体を含むことから、酸により架橋単量体の架橋結合が切断されることで露光地域と非露光地域の間の対照比が向上し、パターンの様相を改善することができ、また、耐久性、耐エッチング性、再現性、解像力、及び接着性において優れる。【化1】前記式で、A、B、R1、R2、R3、R4、R5、R6及びkは明細書に定義した通りである。

請求項（抜粋）：

(i)下記式(1)で示されるフォトレジスト架橋単量体、及び(ii)1以上の他のフォトレジスト共単量体を含むことを特徴とするフォトレジスト重合体。【化1】前記式で、Aは下記式(1a)または下記式(1b)であり、Bは下記式(1c)または下記式(1d)であり、【化2】R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及びR8は置換又は非置換された炭素数C1〜C5の直鎖又は側鎖アルキルグループであり、kは0〜3の中から選択される整数である。

IPC (12件)：

C08F232/00 ,  C08F222/06 ,  C08K 5/00 ,  C08L 35/00 ,  C08L 45/00 ,  C08L101/06 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/20 501 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/38 501 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027

FI (12件)：

C08F232/00 ,  C08F222/06 ,  C08K 5/00 ,  C08L 35/00 ,  C08L 45/00 ,  C08L101/06 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/20 501 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/38 501 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (1件)

• フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ンの形成方法、及び、半導体素子。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-365146   出願人：現代電子産業株式会社